适用于表层，吸收焊接部的应力，抑制焊接部开裂。
特点
低弹性率的半固化片，具备该特性，可缓和因芯片和印刷电路板间的热膨胀差所产生的应力，降低焊接部的开裂。
即便不使用高机能材料（高Tg材、低热膨胀材料低），和一般的FR4材料的搭配，也可改善焊接部开裂。
特性例
| 项目 | 条件 | 单位 | TD-002 | Halogen Free FR-4 | |
|---|---|---|---|---|---|
| 焊接耐热性 | 288℃ Float | sec. | >180 | >180 | |
| 玻璃态转化温度(Tg) | TMA | ℃ | 160～170 | 140～150 | |
| 热膨胀系数 | X | TMA | ppm/℃ | 6～9 | 13～16 |
| Y | 6～9 | 16～19 | |||
| Z | 150～180 | 40～55 | |||
| 弯曲模量 | DVE 25℃ | GPa | 5～8 | 23～26 | |
| Dk | 1GHz | by cavity resonator | - | 3.30～3.40 | 4.30～4.50 |
| Df | 1GHz | 0.010～0.012 | 0.009～0.011 | ||
| Td | TGA 5% loss | ℃ | 340～360 | 370～390 | |
| 体积阻抗率 | C-96/20/65+C-96/40/90 | Ω | 1X1015～1X1016 | 1X1015～1X1016 | |
| 表面阻抗 | C-96/20/65+C-96/40/90 | Ω | 1X1014～1X1015 | 1X1014～1X1015 | |
| 绝缘阻抗 | C-96/20/65+D-2/100 | Ω | 1X1014～1X1015 | 1X1014～1X1015 | |
| 吸水率 | PCT-3hr | % | 0.4～0.6 | 0.3～0.5 | |
评价基板特性
| 项目 | 叠构A | 叠构B | 叠构C | 叠构D | 叠构E | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| (w/o copper) | (w/o copper) | (w/o copper) | (w/ copper) | (w/ copper) | ||
| 叠构 | Copper | 18μm铜箔 | 18μm铜箔 | 18μm铜箔 | 18μm铜箔 | 18μm铜箔 |
| B/U | Halogen Free FR-4 | TD-002 PP (t0.075) | Low CTE | Halogen Free FR-4 | TD-002 PP (t0.075) | |
| Core | Halogen Free FR-4 | Halogen Free FR-4 (I/L copper： 18μm) | Halogen Free FR-4 (I/L copper： 18μm) | |||
| B/U | TD-002 PP (t0.075) | Halogen Free FR-4 | TD-002 PP (t0.075) | |||
| Copper | 18μm铜箔 | 18μm铜箔 | 18μm铜箔 | 18μm铜箔 | 18μm铜箔 | |
| Total Thickness (mm) | 1.4 | 1.4 | 1.4 | 1.4 | 1.4 | |
焊接部开裂评价内容
Pre-treatment: 240℃ max reflow x 2
Condition: -40℃/30min. ⇔ 125℃/30min.
Judge: 确认每次定期循环有无焊接部开裂
焊接部开裂评价结果(内层无铜)Chip device size：3225
项目 | TCT cycle count | ||||
|---|---|---|---|---|---|
500 | 1500 | 2000 | 3000 | ||
| 叠构A | HF FR-4 |  |  |  |  |
| 叠构B | HF FR-4 + TD-002 |  |  |  |  |
| 叠构C | Low CTE Material |  |  |  |  |
焊接部评价结果(内层有铜)Chip device size：3225
项目 | TCT cycle count | ||||
|---|---|---|---|---|---|
500 | 1500 | 2000 | 3000 | ||
| 叠构D | HF FR-4 |  |  |  |  |
| 叠构E | HF FR-4 + TD-002 |  |  |  |  |
*本文章中的数据是在力森诺科集团的实验条件下所测得的结果。