用于半导体制造中绝缘膜沉积（Deposition）工艺的高纯气体

特别适用于氧化膜（Oxide Film）形成 广泛应用于前道工艺中的薄膜制备

特点

多种氧化膜形成能力

• 可用于形成不同类型氧化层（SiOx 等）

稳定供应能力

• 多生产据点支撑的稳定供应体系

成熟应用经验

• 已在半导体厂商中广泛应用

• 具备可靠的量产经验

技术支持能力

• 基于长期应用经验提供专业技术支持

灵活供货形式

• 支持从钢瓶（47L）到ISO大容器多种包装形式

特性示例

基本性质：

• 外观：无色气体或液体

• 气味：无味或略带甜味

• CAS号：10024-97-2

• UN编号：1070（压缩气体）/2201（液化气体）

物理化学参数：

• 熔点：-90.85℃

• 沸点：-88.47℃

• 相对气体密度：1.53（空气=1）

• 液体密度：1.226 kg/L

• 非可燃，但助燃（氧化性气体）

用途

• 绝缘膜（Oxide）沉积

• 薄膜制备（CVD / PECVD）

• 栅介质 / 绝缘层形成

• 控制氧化反应速率

• 提高薄膜均匀性和质量

• 降低副反应（相对O₂更具选择性）

使用场景印象图

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