刻蚀气体----高纯度HBr 溴化氢

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用于半导体制造中导体刻蚀工艺的高纯气体

特别适用于多晶硅刻蚀

广泛用于先进逻辑芯片的高选择比刻蚀工艺


特点

稳定供应能力

  • 具备行业内产能优势

  • 多生产基地支撑的稳定供应体系

高品质保障

  • 针对腐蚀性气体的专用包装技术

  • 确保气体品质稳定

成熟应用经验

  • 广泛的半导体厂家应用实绩

  • 丰富的市场经验

技术支持能力

  • 基于长期应用积累的专业技术支持

特性示例

基本性质:

  • 外观:无色气体

  • 气味:刺激性气味

  • CAS号:10035-10-6

  • UN编号:1048

  • 分类:液化气体(毒性)

物理化学参数:

  • 熔点:-86.9℃

  • 沸点:-66.7℃

  • 临界温度:89.8℃

  • 蒸气压:2.31 MPa(21.1℃)

  • 密度(气体):约空气的2.7倍

  • 不燃性

用途

半导体前道工艺(Frontend)

多晶硅刻蚀

精细结构刻蚀(高选择比)

先进制程应用

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使用场景印象图

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*本文章中的数据是在力森诺科集团的实验条件下所测得的结果。