面向先进半导体及其相关材料（如光刻胶）开发的高品质溶剂。

可根据客户需求，提供定制化规格与质量控制方案。

特点

• 低金属含量

• 低颗粒（Particles）

• 低水分

*金属杂质控制达到ppt（万亿分之一）级别， 产品在完成充填后，可提供包装状态（最终容器），同时保证品质。

特性示例

基本特性：

• 高纯度（ppm → ppb → ppt级）

• 低金属杂质含量

• 高溶解性 / 可控挥发性

• 与材料体系高相容性

典型技术指标：

• 纯度：≥99.99%–99.999%

• 金属离子：< ppb级

• 颗粒：超低颗粒控制

• 有机残留：低

->（先进制程甚至要求ppt级控制）

用途

半导体前道工艺

• 晶圆清洗（Wafer Cleaning）

• 光刻胶溶剂 / 稀释剂

• 去胶（Photoresist Stripping）

• 刻蚀后残留清除

工艺作用

• 去除有机污染物与颗粒

• 保持晶圆表面洁净

• 提升图形精度与一致性

使用场景印象图

产品清单

*本文章中的数据是在力森诺科集团的实验条件下所测得的结果。